本发明提供了一种基于碲基范德华异质结的忆阻器及场效应晶体管与储存计算系统。该忆阻器包括依次设置的基板、底栅、铁电介质层、石墨烯层、绝缘介质层、半导体层；其中，铁电介质层的材质为铜铟磷硫；半导体层的材质为碲。该忆阻器在电脉冲刺激下呈现长时程增强/抑制效应；在通信光波段下的光脉冲信号刺激下呈现短时程增强效应。在数百个幅值小于10V的负/正电脉冲调制下，该忆阻器可以呈现出多级逐步增强/抑制态；以激光脉冲触发的短时程记忆行为为基础，该忆阻器还可以进行多比特矢量编码。本发明还提供了包含上述忆阻器的储存计算系统。该系统将集传感器、信息解码器以及人工智能加速器于一体，其性能有望大幅超越现有的储存计算系统。