公开(公告)号：CN117038711B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202310906165.4

申请日：2023-07-20

Applicant: 湖北九峰山实验室

Inventor： 吴畅 ,  王凯 ,  刘捷龙 ,  郭涛 ,  邢绍琨

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/267 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，上述极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏极；缓冲层和多个沟道依次叠加设于衬底上；沟道由叠加布设的沟道层和势垒层组成；沟道层与势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电子气；两个接触层设于多个沟道的两侧，任一接触层与二维电子气接触，接触层底部与缓冲层相接触，漏极与源极分别设于不同侧的接触层上；两个接触层间的沟道设有多个Trench结构，多个Trench结构间的沟道构成Fin结构，栅极设于Trench结构与Fin结构上，栅极与缓冲层、Fin结构的侧壁和顶部接触；势垒层为ε‑(AlxGa1‑x)2O3层，沟道层为ε‑Ga2O3层。该Fin‑HEMT器件较现有技术具有更高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN117613106B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410088983.2

申请日：2024-01-23

Applicant: 山东大学

Inventor： 崔鹏 ,  代嘉铖 ,  韩吉胜 ,  汉多科·林纳威赫 ,  徐现刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n+‑SiC缓冲层、n‑SiC层和p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层贯穿设有凹槽，所述凹槽的下部位于所述n‑SiC层，所述凹槽内设置与所述n‑SiC层顶部和所述p‑GaN帽层顶部相接的金属Ti电极，所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极，所述n‑SiC层、p‑GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO2钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n‑SiC形成异质结，无需增厚n‑SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压，并具有高可靠性和低成本的优势。

公开(公告)号：CN118076217A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211474317.X

申请日：2022-11-23

Applicant: 香港城市大学深圳研究院

Inventor： 谭超良 ,  张华 ,  查佳佳

IPC: H10N70/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/49 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供了一种基于碲基范德华异质结的忆阻器及场效应晶体管与储存计算系统。该忆阻器包括依次设置的基板、底栅、铁电介质层、石墨烯层、绝缘介质层、半导体层；其中，铁电介质层的材质为铜铟磷硫；半导体层的材质为碲。该忆阻器在电脉冲刺激下呈现长时程增强/抑制效应；在通信光波段下的光脉冲信号刺激下呈现短时程增强效应。在数百个幅值小于10V的负/正电脉冲调制下，该忆阻器可以呈现出多级逐步增强/抑制态；以激光脉冲触发的短时程记忆行为为基础，该忆阻器还可以进行多比特矢量编码。本发明还提供了包含上述忆阻器的储存计算系统。该系统将集传感器、信息解码器以及人工智能加速器于一体，其性能有望大幅超越现有的储存计算系统。

公开(公告)号：CN116936613B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311201390.4

申请日：2023-09-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张泽雨林 ,  张春福 ,  刘丁赫 ,  陈大正 ,  赵胜雷 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质pn结准垂直器件。本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。

公开(公告)号：CN117747411A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311645894.5

申请日：2023-12-01

Applicant: 吉盛微(武汉)新材料科技有限公司

Inventor： 贾瑞涛

IPC: H01L21/02 ,  C01B21/064 ,  C01B32/194 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提供了一种六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼异质结的制备方法，其通过第一中间基底将六方氮化硼材料的第三子层与第一PMMA材料层贴合，之后通过第二中间基底将石墨烯材料的第六子层与第三子层贴合，然后通过第三中间基底将六方氮化硼材料的第九子层与第六子层贴合，最后将第九子层、第六子层、第三子层以及第一PMMA材料层共同转移至目标基底上，并去除第一PMMA材料层，从而将六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼异质结转移至目标基底上，上述制备过程可以避免石墨烯材料与六方氮化硼材料的界面间的PMMA等杂质的污染，进一步提高了六方氮化硼/石墨烯/六方氮化硼异质结在转移后的成膜质量。

公开(公告)号：CN117457497A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311769979.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 太原理工大学 ,  山西浙大新材料与化工研究院

Inventor： 贾伟 ,  任恒磊 ,  贾凯达 ,  翟光美 ,  董海亮 ,  许并社

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以蓝宝石衬底生长的p‑GaN层作为基底，经超声清洗以去除表面有机污染物，基于高温下GaN分解的性质，在含有氢气和氮气的混合气中，通过热分解后得到一层多孔GaN，之后在含有氧气和惰性气体的混合气中进行加热氧化，最终得到具有比表面积大的多孔氧化镓/氮化镓异质结，本发明提供的制备方法，操作过程简单，成本低，并且大幅提高了制备的所述多孔氧化镓/氮化镓异质结比表面积，使其成为制备高电子迁移率晶体管的良好备选材料。

公开(公告)号：CN111183521B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201880061883.3

申请日：2018-08-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  黄广宇 ,  C·V·穆利 ,  合田晃 ,  D·C·潘迪 ,  K·M·考尔道

IPC: H10B41/70 ,  H01L29/267 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/24 ,  H01L21/44 ,  H01L21/425 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 一种装置包含串驱动器，所述串驱动器包括位于漏极区与源极区之间的沟道区。所述沟道区、所述漏极区和所述源极区中的至少一个包括高能带隙材料。栅极区与所述高能带隙材料相邻并间隔开。所述串驱动器被配置用于与电荷储存装置阵列(例如，2D NAND或3D NAND)相关联的高压操作。公开了包含所述串驱动器的另外的装置和系统(例如，非易失性存储器系统)以及形成所述串驱动器的方法。

公开(公告)号：CN117393599A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311442165.X

申请日：2023-10-30

Applicant: 湖北九峰山实验室

Inventor： 彭若诗 ,  徐少东 ,  朱厉阳 ,  李明哲 ,  何俊蕾 ,  郭飞 ,  王宽 ,  袁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/24 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种极化超结氧化镓器件结构及其制作方法。该极化超结氧化镓器件结构的沟道区制作有GaN/AlxGa1‑xN/β‑Ga2O3异质结，所述GaN/AlxGa1‑xN/β‑Ga2O3异质结由依次层叠设置的非故意掺杂β‑Ga2O3外延层、AlxGa1‑xN层和非故意掺杂GaN层形成，其中，0.1≤x≤0.3。通过在沟道区形成GaN/AlxGa1‑xN/β‑Ga2O3异质结，引入极化超结(PSJ)结构，GaN/AlxGa1‑xN异质结界面形成2DHG和极化负电荷，AlxGa1‑xN/β‑Ga2O3异质结界面形成极化正电荷和2DEG，在器件关态时，2DHG和2DEG分别从栅极和漏极泄放，只留下AlxGa1‑xN层上界面和下界面的极化固定负电荷和正电荷，整个PSJ区的电场强度变得均匀，从漏极到栅极之间的电场可以被均匀分布，从而缓解了栅边缘电场集中现象，提高HEMT器件击穿电压的同时还能够提高器件的散热性能。

公开(公告)号：CN117276310A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310450638.4

申请日：2023-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘冠宇 ,  狄增峰 ,  刘强 ,  俞文杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种大面积二维材料及其制备方法，制备方法包括：提供一单晶基底；于单晶基底上形成单晶热导层，单晶热导层的热导率至少大于蓝宝石基底的热导率；于单晶热导层上形成二维材料层。本发明以高热导率的AlN等材料作为二维材料晶体管衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。

公开(公告)号：CN117080257A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310910093.0

申请日：2023-07-24

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 孙一鸣 ,  陈薪好 ,  朱玲玉 ,  赵一铭 ,  黎飞

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L21/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种双结型场效应晶体管及其制备方法，其包括：衬底、p型Te纳米片、n型MoS2纳米片、源电极、漏电极、顶栅电极和衬底栅电极；p型Te纳米片设于衬底表面，n型MoS2纳米片穿插设置于Te纳米片中、与Te纳米片呈交叉状，Te纳米片与所述MoS2纳米片之间构成垂直的双范德华异质结；本发明将Te和MoS2应用于结型晶体管(JFET)中，通过调控p型Te纳米片的栅极电压来实现p型Te纳米片与MoS2形成的两个p‑n结范德华异质结结区的耗尽区深度，实现对耗尽区域的电学性能的调节，具有较低的亚阈值摆幅以及高开关比等电学性质。