本发明提供了一种磁光效应驱动的非易失性光开关及其制备方法，该非易失性开关包括SOI衬底和钆镓石榴石衬底；所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；所述钆镓石榴石衬底上生长有铈掺杂的钇铁石榴石铁氧体；所述埋氧层通过刻蚀形成两个并列的凹槽，所述顶层硅通过刻蚀形成硅波导；每个凹槽内部设有导电金属层，所述导电金属层上表面包括CoFeB阵列；所述钆镓石榴石衬底下表面键合在硅波导上表面。本发明成功规避了由于晶相差异以及生长温度过高导致的无法将高质量的Ce:YIG材料与硅光集成光路实现单片集成的问题，从而提供了在硅基上实现非易失性光开关的一种技术方案。