Invention Grant
- Patent Title: 一种应用于Flash ADC的比较器及失调校正方法
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Application No.: CN202410519792.7Application Date: 2024-04-28
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Publication No.: CN118117994BPublication Date: 2024-06-25
- Inventor: 沈金菊 , 刘春华
- Applicant: 成都纳川微电子科技有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市高新区拓新东街81号2栋1单元3楼302号
- Assignee: 成都纳川微电子科技有限公司
- Current Assignee: 成都纳川微电子科技有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区拓新东街81号2栋1单元3楼302号
- Agency: 四川言行相顾专利代理事务所
- Agent 岳子强
- Main IPC: H03K5/24
- IPC: H03K5/24 ; H03M1/10
Abstract:
本申请公开了一种应用于Flash ADC的比较器及失调校正方法,所述比较器包括恒流源Ib1、Ib2,NMOS管M0、M1、M2、M3、M8、M9、M11,PMOS管M4、M5、M6、M7、M10、M12,所述恒流源Ib1、Ib2为比较器提供偏置电流,所述NMOS管M2、M3为输入差分对管;所述NMOS管M0被配置为:漏极及栅极接恒流源Ib1、源极接地,并与NMOS管M1组成电流镜结构,为NMOS管M1提供偏置电流;比较器传统比较器技术相比,在同一级当中将预放大和锁存过程先后进行,将预放大和锁存放到同一级实现,消除了传统两级比较器技术中级间驱动的过程,实现了比较器速度的提升。
Public/Granted literature
- CN118117994A 一种应用于Flash ADC的比较器及失调校正方法 Public/Granted day:2024-05-31
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IPC分类: