- 专利标题: 基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法
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申请号: CN202410253036.4申请日: 2024-03-06
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公开(公告)号: CN118133751A公开(公告)日: 2024-06-04
- 发明人: 丁大志 , 李春雨 , 张天成 , 包华广 , 严晓虎 , 张岩
- 申请人: 南京理工大学
- 申请人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人: 南京理工大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市孝陵卫200号
- 代理机构: 南京理工大学专利中心
- 代理商 段宇轩
- 主分类号: G06F30/36
- IPC分类号: G06F30/36 ; G06F111/04 ; G06F119/08
摘要:
本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法,结合不同的连续性条件和边界条件,利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式,并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气,在固定的偏置电压下,在漏极施加正弦周期信号,通过引入温度缩放因子,实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率,温度缩放因子取值为500时,在保证电热模拟精度的前提下,本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。
公开/授权文献
- CN118133751B 基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法 公开/授权日:2024-09-13