发明公开
- 专利标题: 一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202410263711.1申请日: 2024-03-06
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公开(公告)号: CN118146009A公开(公告)日: 2024-06-07
- 发明人: 包金小 , 任喆 , 王青春 , 阮飞 , 马雨威 , 李红霞 , 尚炜翔 , 刘国奇 , 海文智
- 申请人: 内蒙古科技大学
- 申请人地址: 内蒙古自治区包头市昆都仑区阿尔丁大街7号
- 专利权人: 内蒙古科技大学
- 当前专利权人: 内蒙古科技大学
- 当前专利权人地址: 内蒙古自治区包头市昆都仑区阿尔丁大街7号
- 代理机构: 北京博尔赫知识产权代理事务所
- 代理商 王灿
- 主分类号: C04B35/596
- IPC分类号: C04B35/596 ; C04B35/593 ; C04B35/622 ; C04B35/626
摘要:
本发明属于氮化物陶瓷技术领域。本发明提供了一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法。制备方法包含如下步骤:将氮化硅、氧化铌、分散剂和水混合,得到浆料;将浆料顺次进行砂磨、干燥和过筛,得到氮化硅纳米粉体;将氮化硅纳米粉体顺次进行干压预成型和冷等静压成型,得到陶瓷胚体;将陶瓷胚体进行热压烧结,得到黑色氮化硅陶瓷。本发明制得的黑色氮化硅陶瓷,丰富了氮化硅陶瓷的颜色,结构致密,为六方晶体,硬度大于17.9GPa,韧性大于11.0MPa·m1/2,力学性能优异,强度高于1830MPa;与目前手机背板常用的氧化锆陶瓷相比,黑色氮化硅陶瓷的密度较小,质地较轻,传输信号更为流畅;并且,该制备方法简单,成本低。
IPC分类: