一种异质结太阳能电池及其制备方法
摘要:
本公开实施例中提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法,该异质结太阳能电池包括:单晶硅衬底;第一本征非晶硅层,设置于所述单晶硅衬底的一侧;第一掺杂非晶/微晶硅层,设置于所述第一本征非晶硅层的远离所述单晶硅衬底的一侧;以及第一透明导电氧化物TCO层,设置于所述第一掺杂非晶/微晶硅层的远离所述第一本征非晶硅层的一侧;以及第一电极,设置于所述第一透明导电氧化物TCO层的远离所述第一掺杂非晶/微晶硅层的一侧;其中所述第一透明导电氧化物TCO层包括层叠的第一氧化铟基TCO层、第一金属氧化物缓冲层和第一氧化锡基TCO层。通过本公开的方案,能够提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/072 ...只是PN异质结型势垒的
H01L31/0745 ....包括AIVBIV的异质结,例如Si/Ge,SiGe/Si或Si/SiC太阳能电池
H01L31/0747 .....包括结晶材料和非晶材料的异质结,例如具有本征薄层的异质结或HIT?太阳能电池
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