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公开(公告)号：CN117812922A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311850857.8
申请日：2023-12-28
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种钙钛矿叠层太阳能电池结构及其制备方法，电池结构包括电池本体和复合封装膜层，电池本体包括基底层、设置于基底层一侧表面上的第一电极层以及依次层叠于基底层另一侧表面上的隧穿互联层、空穴传输层、钙钛矿层、复合电子传输层、透明导电层和第二电极层，第二电极层具有镂空区域以使光线入射至钙钛矿层，复合封装膜层包覆于电池本体的表面，复合封装膜层为聚对二甲苯复合层。复合电子传输层和复合封装膜层内外协同抑制水氧腐蚀，增强钙钛矿叠层太阳能电池结构的稳定性，延长使用寿命，保证电池本体中的载流子迁移，提高光电转换效率和发电效率，有助于产业化发展。
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公开(公告)号：CN118472059A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410563363.X
申请日：2024-05-08
申请人： 上海恒羲光伏科技有限公司 , 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底正面依次设有第一非晶硅层、第一掺杂非晶/微晶硅层、第一铟基TCO层、第一无铟TCO层、第一金属电极；背面依次设有第二非晶硅层、第二掺杂非晶/微晶硅层、第二铟基TCO层、第二无铟TCO层、第二金属电极；第一无铟TCO层和第二无铟TCO层部分缺失；第一金属电极和第二金属电极除分布于电池表面外还分别内嵌填充于第一无铟TCO层和第二无铟TCO层的缺失部分并分别与第一铟基TCO层和第二铟基TCO层直接接触。本发明异质结太阳能电池有效降低基于低铟方案的异质结太阳能电池整体串联电阻，从而在降低异质结太阳能电池成本的同时实现了更高的电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118156351A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410266839.3
申请日：2024-03-08
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0376 , H01L31/18
摘要： 本公开实施例中提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括：单晶硅衬底；第一本征非晶硅层，设置于所述单晶硅衬底的一侧；第一掺杂非晶/微晶硅层，设置于所述第一本征非晶硅层的远离所述单晶硅衬底的一侧；以及第一透明导电氧化物TCO层，设置于所述第一掺杂非晶/微晶硅层的远离所述第一本征非晶硅层的一侧；以及第一电极，设置于所述第一透明导电氧化物TCO层的远离所述第一掺杂非晶/微晶硅层的一侧；其中所述第一透明导电氧化物TCO层包括层叠的第一氧化铟基TCO层、第一金属氧化物缓冲层和第一氧化锡基TCO层。通过本公开的方案，能够提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118251092A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410379237.9
申请日：2024-03-29
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司 , 上海恒羲光伏科技有限公司
IPC分类号： H10K71/10 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K71/00 , H10K85/50 , H10K71/40 , H10K30/80 , H10K30/50
摘要： 本发明涉及光伏技术领域，公开了钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池的制备方法。钙钛矿薄膜的制备方法包括：提供一基底；在基底的一侧表面，制备金属卤化物骨架层；在金属卤化物骨架层上，采用喷涂法制备填充层，填充层渗入所述金属卤化物骨架层中，以形成钙钛矿层。金属卤化物骨架层疏松的结构有利于有机组分阳离子的均匀高效渗入，有效提高钙钛矿有机组分和无机组分的有序结合，提升了钙钛矿层的结晶质量和均匀性，降低了钙钛矿层的缺陷和孔洞以及薄膜非辐射复合过程。喷涂法相较涂布法具有更大的渗入压力，无需采用复杂工艺制备超薄的金属卤化物骨架层，就能够形成高质量、低缺陷的钙钛矿薄膜。该方法降低制备难度，具有高经济效益。
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公开(公告)号：CN117790593A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311820074.5
申请日：2023-12-27
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/20
摘要： 本申请提供一种太阳能光伏电池及太阳能光伏组件，所述太阳能光伏电池包括：衬底、设置在所述衬底上的第一掺杂层、设置在所述第一掺杂层上的钝化层和减反层以及有机光转层、设置在所述衬底下的隧穿层、设置在所述隧穿层下的多晶硅层、设置在所述多晶硅层下的第二减反层，与所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧接触的第一电极以及与所述多晶硅层远离所述衬底的一侧接触的第二电极。
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公开(公告)号：CN118265314B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410667710.3
申请日：2024-05-28
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域。具体提供一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：钙钛矿吸收层；钙钛矿吸收层一侧表面的电子传输层；钙钛矿吸收层另一侧表面的空穴传输层；电子传输层背向钙钛矿吸收层一侧表面的第一透明导电层；空穴传输层背向钙钛矿吸收层一侧表面的第二透明导电层；其中，电子传输层为点阵接触结构的电子传输层，具有与钙钛矿吸收层接触的点阵接触面，与钙钛矿吸收层点阵式接触。本发明提供的太阳能电池及其制备方法，可以减少钙钛矿太阳能电池的电子传输层与钙钛矿吸收层之间的非辐射载流子复合，提升钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN118472052A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410563388.X
申请日：2024-05-08
申请人： 上海恒羲光伏科技有限公司 , 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种含侧边绝缘层的异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池包括半导体衬底以及分布于半导体衬底正面和背面的第一TCO层和第二TCO层；第一TCO层和第二TCO层除分布于半导体衬底正面和背面外，还延伸分布至半导体衬底四周侧面上；位于半导体衬底四周侧面上的第一TCO层和第二TCO层之间还设有绝缘层，绝缘层隔绝位于四周侧面上的第一TCO层和第二TCO层防止该异质结太阳能电池漏电。本发明异质结太阳能电池的两侧TCO层均采用无遮挡自上而下的镀膜方式，且同时在第一侧面TCO层和第二侧面TCO层间引入额外绝缘层，从而在避免电池漏电的前提下增大了TCO层在电池表面的有效面积，进而能够提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118265314A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410667710.3
申请日：2024-05-28
申请人： 上海电气集团恒羲光伏科技(南通)有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域。具体提供一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括：钙钛矿吸收层；钙钛矿吸收层一侧表面的电子传输层；钙钛矿吸收层另一侧表面的空穴传输层；电子传输层背向钙钛矿吸收层一侧表面的第一透明导电层；空穴传输层背向钙钛矿吸收层一侧表面的第二透明导电层；其中，电子传输层为点阵接触结构的电子传输层，具有与钙钛矿吸收层接触的点阵接触面，与钙钛矿吸收层点阵式接触。本发明提供的太阳能电池及其制备方法，可以减少钙钛矿太阳能电池的电子传输层与钙钛矿吸收层之间的非辐射载流子复合，提升钙钛矿太阳能电池的性能。
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