本发明属于半导体技术领域，涉及一种SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法，SiC半导体探测器包括欧姆电极；4H‑SiC单晶衬底，设于欧姆电极上表面；缓冲层，生长在4H‑SiC单晶衬底上表面，缓冲层与4H‑SiC单晶衬底材质相同；外延层，生长在缓冲层上表面，外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同；灵敏层，为采用真空热气相沉积法在外延层上表面蒸发Ni膜电极形成的肖特基接触层；灵敏层的截面为7mm×7mm的方形，4H‑SiC单晶衬底、欧姆电极、缓冲层、外延层的截面为10mm×10mm的方形。本发明SiC半导体探测器能快速准确地探测X射线，其应用于矿石成分分析中，能提高矿石成分分析的效率及准确性。