本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一半导体层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层，所述第一子层、所述第四子层和所述第五子层为掺杂Si的GaN层，所述第二子层为掺杂Mg的SiN层，所述第三子层为掺杂Si的MgN层，所述第一子层中的Si的掺杂浓度的取值范围为1019～1021cm‑3，所述第四子层和所述第五子层中的Si的掺杂浓度低于所述第一子层。