本发明涉及一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法，属于光电子技术领域。由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第三垒层、第四量子阱、第四垒层、第五量子阱、上波导层、上限制层A、腐蚀阻挡层、上限制层B、带隙过渡层和帽层；本发明采用张应变及压应变交替生长的混合多量子阱实现TE模式和TM模式增益平衡，进而实现与偏振无关的红光半导体光放大器，同时利用垒层交替补偿，平衡有源区应力，避免晶格常数差异对量子阱生长质量的影响。