本发明公开了一种多芯片堆叠互连用钎料及其制备方法，钎料由如下质量百分比的组分组成：Bi含量30～40wt％，In含量2～5wt％，Ti含量0.2～0.8wt％，Si含量0.05～0.3wt％，其余为Sn。制备方法包括：1)将Bi锭、In锭和Sn锭按比例置于石英坩埚中，在中频感应炉中加热熔化，然后加入纳米Ti颗粒和纳米Si颗粒，保温一段时间；2)保温结束后，将液态钎料浇铸成棒材，最后挤压成焊片。本发明钎料可实现低温下键合，制备出的金属间化合物焊点孔洞较少，可显著提高金属间化合物焊点的可靠性。