公开(公告)号：CN118204672A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410468825.X

申请日：2024-04-18

申请人： 常州大学

发明人： 孙磊 ,  王文昊 ,  张亮 ,  姜加伟

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/40

摘要： 本发明公开了一种多芯片堆叠互连用钎料及其制备方法，钎料由如下质量百分比的组分组成：Bi含量30～40wt％，In含量2～5wt％，Ti含量0.2～0.8wt％，Si含量0.05～0.3wt％，其余为Sn。制备方法包括：1)将Bi锭、In锭和Sn锭按比例置于石英坩埚中，在中频感应炉中加热熔化，然后加入纳米Ti颗粒和纳米Si颗粒，保温一段时间；2)保温结束后，将液态钎料浇铸成棒材，最后挤压成焊片。本发明钎料可实现低温下键合，制备出的金属间化合物焊点孔洞较少，可显著提高金属间化合物焊点的可靠性。

公开(公告)号：CN118737859A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410852930.3

申请日：2024-06-28

申请人： 常州大学

发明人： 孙磊 ,  王静 ,  王文昊 ,  张亮 ,  姜加伟

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种低孔洞全金属间化合物焊点的制备方法，其包括如下步骤：1)在晶圆表面待键合区沉积0.1～5μm厚Cu‑Zn金属层，该Cu‑Zn金属层中Zn的质量百分比为5～20wt％；2)在步骤1)所得晶圆的Cu‑Zn金属层上沉积10～50nm厚Fe纳米晶薄膜；3)在步骤2)所得晶圆的Fe纳米晶薄膜上依次沉积Sn钎料层和In钎料层；4)将依次沉积Cu‑Zn金属层、Fe纳米晶薄膜、Sn钎料层和In钎料层的两个晶圆的待键合区对接，并进行固液互扩散键合处理，即得到低孔洞全金属间化合物焊点。本发明钎料制备的全金属间化合物焊点几乎无孔洞，可显著提高全金属间化合物焊点的可靠性。