- 专利标题: 一种高性能双轴取向聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法、应用
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申请号: CN202410620946.1申请日: 2024-05-20
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公开(公告)号: CN118206787A公开(公告)日: 2024-06-18
- 发明人: 聂敏 , 武祺 , 杨昌华
- 申请人: 四川大学
- 申请人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 专利权人: 四川大学
- 当前专利权人: 四川大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 代理机构: 成都华复知识产权代理有限公司
- 代理商 麦迈
- 主分类号: C08J5/18
- IPC分类号: C08J5/18 ; C08L23/12 ; C08K3/38 ; C08K3/04 ; H01G4/14 ; H01G4/33
摘要:
本发明属于聚丙烯基薄膜材料技术领域,涉及一种高性能双轴取向聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法、应用,该制备方法是将包括聚丙烯、宽带隙二维纳米片和窄带隙填料的主要原料混合后作为混合料,依次经由熔融密炼、热压成型,制备得到薄膜制品用的待拉伸片材,最后将所得待拉伸片材经由双向固相拉伸处理,制备得到高性能双轴取向聚丙烯基电容器薄膜。该制备方法同时引入宽带隙二维纳米片和窄带隙填料,通过两者协同作用极大提高制备所得薄膜材料的击穿强度及介电性能,为下一代储能应用的开发开辟了一条新的道路。
公开/授权文献
- CN118206787B 一种高性能双轴取向聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法、应用 公开/授权日:2024-07-12