发明公开
- 专利标题： 混合键合方法、三维集成电路及电子设备
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申请号： CN202410290856.0申请日： 2024-03-14
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公开(公告)号： CN118213283A公开(公告)日： 2024-06-18
- 发明人: 王诗兆 , 徐彬彬 , 李瑞 , 娄佩 , 倪闻涛 , 盛灿
- 申请人： 南京邮电大学南通研究院有限公司 , 武汉大学
- 申请人地址： 江苏省南通市新康路33号9、10幢;
- 专利权人： 南京邮电大学南通研究院有限公司,武汉大学
- 当前专利权人： 南京邮电大学南通研究院有限公司,武汉大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南通市新康路33号9、10幢;
- 代理机构： 武汉红观专利代理事务所
- 代理商 陈凯
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/488
摘要：
本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种混合键合方法、三维集成电路及电子设备。混合键合方法包括提供第一半导体结构和第二半导体结构。在所述第一金属触点远离所述第一半导体层的端部形成(111)晶面的第一单晶铜凸点，在所述第二金属触点远离所述第二半导体层的端部形成(111)晶面的第二单晶铜凸点。在所述第一单晶铜凸点上形成(111)晶面、(1‑10)晶面或(11‑2)晶面的锆中介层。将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行对位键合。本申请能够实现低温Cu‑Cu混合键合，工艺难度低且键合效果较好、产品可靠性较高。