发明公开
- 专利标题： 一种碳化硅衬底的槽式清洗方法
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申请号： CN202410554358.2申请日： 2024-05-07
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公开(公告)号： CN118231226A公开(公告)日： 2024-06-21
- 发明人: 李秀丽 , 娄艳芳 , 邹宇 , 张平 , 郭钰 , 彭同华 , 杨建
- 申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王洋
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; B08B3/08 ; B08B3/12
摘要：
本发明提供了一种碳化硅衬底的槽式清洗方法，包括如下步骤：A）依次将碳化硅衬底采用SPM‑O3清洗、HF清洗、SC1清洗、SC2清洗；所述SPM‑O3包括硫酸、双氧水和臭氧；B）将上述清洗完毕的碳化硅衬底进行干燥，即得。本发明通过对清洗和干燥的药水、兆声多频改进，实现对碳化硅双抛片的高效清洗，操作安全，颗粒和表面金属离子去除率较高，表面结晶质量稳定。清洗后表面颗粒尺寸≥0.13um的衬底，平均颗粒水平＜500个，表金属离子使用ICP‑MS 8900测试，含量＜2.9E10 atoms/cm2。
IPC分类:
