本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在硼扩后采用掩膜将金属化区的富硼层进行掩盖后，进行后续的隧穿氧化层和多晶硅层的制备和磷扩散掺杂/原位扩散掺杂，然后经过清洗去除掩膜和非掩膜区的BSG层和富硼层，保留掩膜下的富硼层，将该富硼层作为重掺区，不但可以省去激光推进工序，且硼扩工序形成的富硼层的厚度较薄，可制成较浅的PN结，结深浅，有利于短波吸收，提高短路电流，进而提升电池效率。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便，无需昂贵的激光设备，设备投入低，能够有效降低电池的生产成本，并提高电池的生产效率，对于推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。