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公开(公告)号:CN118231529B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410642886.3
申请日:2024-05-23
申请人: 英利能源发展有限公司
发明人: 潘明翠 , 王红芳 , 郎芳 , 翟金叶 , 孟庆超 , 马红娜 , 赵学玲 , 王子谦 , 史金超 , 张丽娜 , 李献朋 , 尹丽丽 , 于航 , 郭晓杰 , 薛敬伟 , 于波 , 刘莹 , 麻超
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在硼扩后采用掩膜将金属化区的富硼层进行掩盖后,进行后续的隧穿氧化层和多晶硅层的制备和磷扩散掺杂/原位扩散掺杂,然后经过清洗去除掩膜和非掩膜区的BSG层和富硼层,保留掩膜下的富硼层,将该富硼层作为重掺区,不但可以省去激光推进工序,且硼扩工序形成的富硼层的厚度较薄,可制成较浅的PN结,结深浅,有利于短波吸收,提高短路电流,进而提升电池效率。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便,无需昂贵的激光设备,设备投入低,能够有效降低电池的生产成本,并提高电池的生产效率,对于推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。
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公开(公告)号:CN118165581A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410410957.7
申请日:2024-04-08
申请人: 英利能源发展有限公司
IPC分类号: C09D123/12 , C09D183/04 , C09D7/62 , C08J7/04 , C08L27/16
摘要: 本发明公开一种疏水涂层及其喷涂制备方法,涉及涂层技术领域,疏水涂层的成分包括:二氧化硅颗粒、乙醇、改性剂、甲苯溶剂、聚丙烯,聚二甲基硅氧烷和交联剂。本发明还公开了疏水涂层喷涂制备方法,包括:将二氧化硅颗粒和乙醇溶液,改性剂混合并制备成超疏水性二氧化硅颗粒,再加入甲苯溶剂,聚丙烯,聚二甲基硅氧烷和交联剂搅拌均匀并制备成疏水涂层溶液,将疏水涂层溶液喷涂到基材上,涂层厚度为1~20μm,喷涂后将基材升温至90~100℃固化8~12小时。本发明提供的疏水涂层,其组分中不含氟化物,对环境污染小,生产过程中的废液处理相对简单,生产成本低;涂层具有良好的抗冲击能力,从而降低了在提篮使用过程中的硅片碎片率。
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公开(公告)号:CN118685060A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410891265.9
申请日:2024-07-04
申请人: 英利能源发展有限公司
IPC分类号: C09D4/06 , C09D4/02 , C09D7/63 , H01L21/673
摘要: 本发明公开了一种应用于花篮的绿色疏液涂料及其制备方法与应用,属于太阳能电池制造技术领域。本发明通过选用耐酸碱性能优异的聚氨酯和聚二甲基硅氧烷作为载体,选用聚丙烯微球提供表面粗糙度,从而保证了涂层在酸性或碱性体系下能够保持疏液作用;交联剂能够提高涂层的交联密度,增强涂层的耐久性,偶联剂能够提高聚二甲基硅氧烷与聚丙烯微球之间的相容性,改善涂层的整体性能;同时,聚二甲基硅氧烷与聚氨酯的复合结构增加了花篮表面的抗冲击性能,进一步降低了碎片率,最终得到的应用于花篮的绿色疏液涂料能够提高花篮表面的疏液性能,使花篮不带液或少带液。
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公开(公告)号:CN118398716A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410561148.6
申请日:2024-05-08
申请人: 英利能源发展有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , C01F7/428
摘要: 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开一种太阳能电池片边缘的钝化方法。本发明提供的太阳能电池片边缘的钝化方法,以铝粉和双氧水为原料,采用溶液法在通入氧气鼓泡的条件下制备得到氧化铝前驱体,然后将氧化铝前驱体覆于太阳能电池切割片的边缘后进行臭氧处理,有效降低了后续退火得到的氧化铝薄膜表面的不饱和键和悬挂键的数量,同时,制备得到的氧化铝的纯度高,不含有影响电池性能的杂质,从而显著提升了切割边缘的钝化效果,保证了电池性能,且该方法无需昂贵的大型镀膜设备,操作简单,薄膜沉积速率快,且形成的薄膜均匀,钝化后电池效率明显提升,具有较高的推广应用价值。
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公开(公告)号:CN118231529A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410642886.3
申请日:2024-05-23
申请人: 英利能源发展有限公司
发明人: 潘明翠 , 王红芳 , 郎芳 , 翟金叶 , 孟庆超 , 马红娜 , 赵学玲 , 王子谦 , 史金超 , 张丽娜 , 李献朋 , 尹丽丽 , 于航 , 郭晓杰 , 薛敬伟 , 于波 , 刘莹 , 麻超
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种SE‑TOPCon电池及其制备方法。本发明在硼扩后采用掩膜将金属化区的富硼层进行掩盖后,进行后续的隧穿氧化层和多晶硅层的制备和磷扩散掺杂/原位扩散掺杂,然后经过清洗去除掩膜和非掩膜区的BSG层和富硼层,保留掩膜下的富硼层,将该富硼层作为重掺区,不但可以省去激光推进工序,且硼扩工序形成的富硼层的厚度较薄,可制成较浅的PN结,结深浅,有利于短波吸收,提高短路电流,进而提升电池效率。本发明提供的SE‑TOPCon电池的制备方法简便,无需昂贵的激光设备,设备投入低,能够有效降低电池的生产成本,并提高电池的生产效率,对于推进高效太阳电池制备技术的发展具有重要意义。
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