本发明公开了一种硅基集成光源及其制备方法，属于半导体器件领域，包括绝缘体上硅SOI区、激光器区和键合区；激光器区包括由下至上设置的下包层、光栅层、有源层和上包层；绝缘体上硅SOI区包括由下至上设置的硅衬底、绝缘氧化硅和SOI顶层硅波导；SOI顶层硅波导设有目标光信号耦合端，目标光信号耦合端为楔形结构，且目标光信号耦合端沿激光器区出射光方向设置。本发明通过在硅波导一侧制作大模场硅/氮化硅楔形波导，可在横向和纵向上减小有效折射率增大模场体积，提高与激光器的光耦合效率，提高激光器到波导的对准容差，采用看法反射激光器结构，可实现高对准容差、高耦合效率、高可靠性的硅基混合集成光源，具有重要应用价值。