发明公开
- 专利标题: 分栅快闪存储器及其制造方法
-
申请号: CN202410251878.6申请日: 2024-03-05
-
公开(公告)号: CN118265297A公开(公告)日: 2024-06-28
- 发明人: 张高明 , 于涛
- 申请人: 华虹半导体(无锡)有限公司 , 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- 专利权人: 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 郭四华
- 主分类号: H10B41/30
- IPC分类号: H10B41/30 ; H01L21/28
摘要:
本发明公开了一种分栅快闪存储器,L型擦除栅的第一竖直部分自对准形成于第一开口的侧面,第二横向部分的侧面由形成于第一竖直部分的第二侧面的第一侧墙的第二侧面自对准定义;浮栅位于第二横向部分的底部,浮栅的第二侧面由形成于浮栅侧面的第二侧墙的第二侧面自对准定义;源区由浮栅的第二侧面自对准定义;浮栅的第二侧面形成有第三侧墙,源区顶部的源极线由第一至第三侧墙的第二侧面自对准定义。第一竖直部分的第一侧面自对准定义自对准定义第一栅极间介质层和浮栅的第一侧面,字线栅自对准形成于位于浮栅的第一侧面的第四侧墙的第一侧面以及第四侧墙顶部的第一竖直部分的第一侧面。本发明还公开了一种分栅快闪存储器的制造方法。