本发明提供一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方法，该制备方法包括石英砂成型工艺；石英砂成型工艺包括依次加入外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂；外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入过程中，分别独立地进行抽真空处理；抽真空处理的真空频率，随着外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入逐渐增大。该制备方法可以提高石英砂的堆积密度，防止石英砂在抽真空起弧时出现塌陷现象，导致出现气泡不良，同时抑制了起弧瞬间的热冲击导致的内层石英砂移动以及端口石英砂熔化时团聚移动的现象，提高了石英坩埚以及单晶硅产品的品质。