-
公开(公告)号：CN118984892A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380032892.0
申请日：2023-02-01
申请人： 胜高股份有限公司
摘要： [课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚11的镜像11M的影像，根据在石英坩埚11至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的石英坩埚11的镜像11M的位置的时间变化来评价石英坩埚11的变形或偏心。
-
公开(公告)号：CN118922591A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029359.9
申请日：2023-01-13
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明涉及一种坩埚、结晶制造方法及单晶。该坩埚(G)是用于氧化物单晶的生长的坩埚(G)，且具备沿厚度方向层叠并接合的多个氧化物板(G1～G10)，各个氧化物板(G1～G10)中的添加物的浓度不同。结晶制造方法通过一边使晶种接触坩埚内的熔融液的露出表面，一边使露出表面的位置沿铅直方向移动，由此使氧化物单晶生长。在氧化镓的单晶中，沿生长轴方向的添加物的浓度可以优选地设为平均值±5％的范围内。
-
公开(公告)号：CN118880436A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390865.3
申请日：2024-10-08
申请人： 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要： 本申请涉及一种大尺寸氟化钙晶体生长用坩埚及熔体净化方法，涉及氟化钙晶体生长的技术领域，坩埚包括内坩埚和外坩埚，内坩埚开设有通孔，外坩埚与驱动机构连接，外坩埚设置有收集组件，外坩埚上移使得内坩埚底部与熔体液面接触，外坩埚转动同时上移且使得浮动在熔体上的杂质在离心作用下移至收集组件内进行收集。本申请通过驱动机构驱动外坩埚转动且向上移动，内坩埚进入熔体内使得熔体液面上升，使得杂质进入收集组件进行收集，提高了对熔体内杂质的去除效果，提高了晶体的质量。
-
公开(公告)号：CN118773724A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411053878.1
申请日：2024-08-02
申请人： 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体炉和晶体生长控制方法，包括：炉体内沿其高度方向开设有中空腔体，其内设有用于容纳熔体的坩埚；坩埚的外壁上具有至少一个环绕坩埚的加热区；籽晶杆包括用于放置籽晶的晶体生长平台，晶体生长平台可沿炉体的高度方向移动；至少一个加热组件，设于中空腔体内，套设于坩埚的对应的加热区外，加热组件包括若干个周向呈阵列分布的加热元件，每个加热元件在加热区上的投影区域为周向加热分区，所有周向加热分区全覆盖加热区；处于同一个加热区内的每个加热元件向对应的周向加热分区提供的加热温度相同或不同。该方案在径向方向上的任意圆周角度的区域实现独立地加热温度控制，满足独特的应用场景，降低生产成本、提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN118727126A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310325820.7
申请日：2023-03-30
申请人： 内蒙古中环晶体材料有限公司
IPC分类号： C30B15/10 , B24B5/10 , B24B27/033
摘要： 本发明提供一种石英坩埚及提高石英坩埚内表面粗糙度的方法，包括：坩埚主体，所述坩埚主体包括坩埚侧壁以及坩埚底，所述坩埚底包括底部以及圆弧过渡部，所述圆弧过渡部沿所述底部周向设置有一周；环绕所述圆弧过渡部一周设置有所述侧壁，所述坩埚侧壁的内表面最外层设置有被磨削层，所述被磨削层的厚度为0.01‑1mm。本发明的有益效果是采用上述处理方案，可以在石英坩埚完成成品制造后进行处理，仅增加一项处理工步即达成成对坩埚内壁微颗粒的去除效果，无需进行熔制设备的改造或更改熔制工艺，可以降低改造成本，加快量产进度。在不对传统制埚工艺进行调整的前提下、创新性增加没表面除杂工艺，避免坩埚内壁未融石英微颗粒在使用过程中的脱落风险。
-
公开(公告)号：CN118516759A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310160696.3
申请日：2023-02-23
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了石英坩埚及其制备方法、单晶炉，涉及单晶硅制备技术领域。方法包括：在模具表面依次铺设外层石英砂和内层石英砂；外层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于外层石英砂的质量的90％；外层石英砂中，气泡包裹体的体积含量，大于等于外层石英砂的体积的6‰，小于等于10％；外层石英砂中，杂质的含量小于等于50ppm；内层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于内层石英砂的质量的90％；内层石英砂中，气泡包裹体的体积含量小于等于内层石英砂的体积的5‰；内层石英砂中，杂质的含量小于等于40ppm。本申请大幅度降低了石英坩埚的生产成本。
-
公开(公告)号：CN118307184B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410742257.8
申请日：2024-06-11
申请人： 浙江美晶新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体级合成石英坩埚的制备方法，该制备方法包括：对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制和冷却；封皮处理、透明层熔制和气泡层熔制过程中，水冷板与模具口的距离为50~80 mm。该制备方法有效减少外界杂质的进入，降低外界对坩埚内部熔融环境的影响，改善了合成石英坩埚R角内表面纯度高的问题。
-
公开(公告)号：CN118441277A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410381836.4
申请日：2024-04-01
申请人： 山东大学
IPC分类号： C23C28/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C4/02 , C30B29/16 , C30B15/10 , C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种适用于高氧浓度生长气氛下的复合保护层铱金坩埚及其制备方法，本发明的适用于高氧浓度生长气氛的复合保护层铱金坩埚，复合保护层为铂金层‑铂铑合金层‑铑金属层‑致密氧化锆层复合保护层，该复合保护层克服了单氧化锆保护层易脱落、重复利用率低、耐氧含量少等缺点，本发明的复合保护层一致性高，整体致密性好，大幅降低铱金坩埚表面与生长气氛中氧气的接触几率，在减少铱金挥发的同时，可承受较高氧浓度气氛条件，有效抑制原料挥发分解反应，避免坩埚内部贵金属腐蚀。
-
公开(公告)号：CN118307182B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410742253.X
申请日：2024-06-11
申请人： 浙江美晶新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方法，该制备方法包括石英砂成型工艺；石英砂成型工艺包括依次加入外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂；外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入过程中，分别独立地进行抽真空处理；抽真空处理的真空频率，随着外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入逐渐增大。该制备方法可以提高石英砂的堆积密度，防止石英砂在抽真空起弧时出现塌陷现象，导致出现气泡不良，同时抑制了起弧瞬间的热冲击导致的内层石英砂移动以及端口石英砂熔化时团聚移动的现象，提高了石英坩埚以及单晶硅产品的品质。
-
公开(公告)号：CN118184115B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410601156.9
申请日：2024-05-15
申请人： 浙江美晶新材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种低微气泡半导体级合成石英坩埚及其制备方法及单晶硅生长方法，该制备方法包括：对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制和冷却；封皮处理中，石墨电极起弧后通入高压空气助燃。该合成石英坩埚制备方法有效提高了石英坩埚的品质，减少石英坩埚制备过程中所带来的污染，提高单晶硅产品的质量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1619 条记录 (耗时 0.02 秒)
