- 专利标题: 一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用
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申请号: CN202410750348.6申请日: 2024-06-12
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公开(公告)号: CN118326337A公开(公告)日: 2024-07-12
- 发明人: 郁杰 , 陈兆睿 , 李刚 , 孙永菊
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 丁勇
- 主分类号: C23C14/16
- IPC分类号: C23C14/16 ; C23C14/35 ; C22C45/10 ; C01B3/00
摘要:
本发明公开了一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用,所述非晶储氢高熵合金薄膜包括缓冲层、储氢层和防氧化保护层,所述储氢层含有钛、锆、钒、铌、铪和钽;其中,所述储氢层的分子通式为TiaZrbVcNbdHfeTafXg;所述X选自铂、钯、金和银中的一种或两种以上;所述储氢层各元素的原子浓度为15≤a≤35at%,15≤b≤35at%,5≤c≤25at%,5≤d≤20at%,0
公开/授权文献
- CN118326337B 一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用 公开/授权日:2024-08-30
IPC分类: