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公开(公告)号：CN118326337B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410750348.6
申请日：2024-06-12
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用，所述非晶储氢高熵合金薄膜包括缓冲层、储氢层和防氧化保护层，所述储氢层含有钛、锆、钒、铌、铪和钽；其中，所述储氢层的分子通式为TiaZrbVcNbdHfeTafXg；所述X选自铂、钯、金和银中的一种或两种以上；所述储氢层各元素的原子浓度为15≤a≤35at%，15≤b≤35at%，5≤c≤25at%，5≤d≤20at%，0
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公开(公告)号：CN117107134A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310955639.4
申请日：2023-07-28
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种纳米合金中子靶膜材料及制备方法，靶膜材料的化学式为TiaXbVcAldNbe，其中，X选自Zr或Mg，a、b、c、d、e分别表示对应元素的原子百分含量，5≤a≤40，5≤b≤40，5≤c≤40，5≤d≤40，5≤e≤40，且a+b+c+d+e＝100。本发明通过合理的成分设计，多种元素相互协调，及制备方法将高熵合金纳米化，实现了将中子靶的释氘(氚)温度提高至200℃以上，同时将储氘量H/M提高至1.8以上，有效提高了中子靶的耐温及储氘性能。
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公开(公告)号：CN118326337A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410750348.6
申请日：2024-06-12
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用，所述非晶储氢高熵合金薄膜包括缓冲层、储氢层和防氧化保护层，所述储氢层含有钛、锆、钒、铌、铪和钽；其中，所述储氢层的分子通式为TiaZrbVcNbdHfeTafXg；所述X选自铂、钯、金和银中的一种或两种以上；所述储氢层各元素的原子浓度为15≤a≤35at%，15≤b≤35at%，5≤c≤25at%，5≤d≤20at%，0
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公开(公告)号：CN118335362B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410757328.1
申请日：2024-06-13
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明提供了一种石墨烯修饰高熵合金中子靶及其制备方法，所述石墨烯修饰高熵合金中子靶包括依次排列的基底、缓冲层、储氘层和催化层；其中，所述储氘层含有镁、钛、锆、钒、铌、铬和石墨烯；所述储氘层的分子通式为MgaTibZrcVdNbeCrfCg；所述储氘层各元素的原子浓度为15≤a≤35at%，15≤b≤35at%，5≤c≤35at%，5≤d≤20at%，5≤e≤20at%，5≤f≤20at%，1≤g≤10at%，且a+b+c+d+e+f+g＝100；该石墨烯修饰高熵合金中子靶具有高吸氢密度及吸氢稳定性，高放氢温度，高散热效率，不易开裂粉化的优异特点，同时，该石墨烯修饰高熵合金中子靶的制备方法成本低，工艺简单。
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公开(公告)号：CN118335362A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410757328.1
申请日：2024-06-13
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明提供了一种石墨烯修饰高熵合金中子靶及其制备方法，所述石墨烯修饰高熵合金中子靶包括依次排列的基底、缓冲层、储氘层和催化层；其中，所述储氘层含有镁、钛、锆、钒、铌、铬和石墨烯；所述储氘层的分子通式为MgaTibZrcVdNbeCrfCg；所述储氘层各元素的原子浓度为15≤a≤35at%，15≤b≤35at%，5≤c≤35at%，5≤d≤20at%，5≤e≤20at%，5≤f≤20at%，1≤g≤10at%，且a+b+c+d+e+f+g＝100；该石墨烯修饰高熵合金中子靶具有高吸氢密度及吸氢稳定性，高放氢温度，高散热效率，不易开裂粉化的优异特点，同时，该石墨烯修饰高熵合金中子靶的制备方法成本低，工艺简单。
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