发明公开
- 专利标题: 一种用于抑制硅MEMS陀螺馈通效应的补偿装置及补偿方法
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申请号: CN202410580342.9申请日: 2024-05-11
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公开(公告)号: CN118347524A公开(公告)日: 2024-07-16
- 发明人: 林日乐 , 彭明众 , 许图 , 罗华 , 胡浩 , 肖凌
- 申请人: 重庆天箭惯性科技股份有限公司
- 申请人地址: 重庆市渝北区知新路18号
- 专利权人: 重庆天箭惯性科技股份有限公司
- 当前专利权人: 重庆天箭惯性科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 重庆市渝北区知新路18号
- 代理机构: 重庆智慧之源知识产权代理事务所
- 代理商 余洪
- 主分类号: G01C25/00
- IPC分类号: G01C25/00
摘要:
本发明提供一种用于抑制硅MEMS陀螺馈通效应的补偿装置及补偿方法,其中,装置包括:环形去耦合电路板、若干耦合补偿电路模块和陀螺仪表头;所述耦合补偿电路模块均匀安装在所述环形去耦合电路板的环面上,通过所述环形去耦合电路板和所述陀螺仪表头连接,用于补偿陀螺仪表头中的馈通信号。本发明提供了一种用于抑制硅MEMS陀螺馈通效应的补偿装置,补偿装置是环形结构,中间镂空出足够的空孔用于放置陀螺仪表头并与陀螺仪表头电极连接,在调试硅MEMS陀螺仪系统的过程中,用于补偿陀螺仪表头任意电极与电极之间的电信号耦合馈通,方便调试和分析定位问题。