本发明公开了一种替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块及其制备方法，属于电镀金银合金技术领域。所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20‑50wt%；所述防护层的厚度远小于连接层，金的含量为60wt%以上；所述金银合金层中晶粒的平均粒径为0.10‑0.30μm。本发明提供的金银合金凸块，具有与纯金凸块相当的硬度、粗糙度和抗硫化性能，能够满足倒装芯片封装的技术需求，同时能够大幅降低成本。本发明提供的金银合金凸块方法，可以通过同一设备和镀液，仅改变电流密度，即可获得本发明的双层结构金银合金凸块，简化制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。