替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块及其制备方法

    公开(公告)号:CN118352327A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410545738.X

    申请日:2024-01-10

    摘要: 本发明公开了一种替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块及其制备方法,属于电镀金银合金技术领域。所述金银合金凸块由两层金银合金层组成,分别为连接层和防护层;所述连接层金的含量为20‑50wt%;所述防护层的厚度远小于连接层,金的含量为60wt%以上;所述金银合金层中晶粒的平均粒径为0.10‑0.30μm。本发明提供的金银合金凸块,具有与纯金凸块相当的硬度、粗糙度和抗硫化性能,能够满足倒装芯片封装的技术需求,同时能够大幅降低成本。本发明提供的金银合金凸块方法,可以通过同一设备和镀液,仅改变电流密度,即可获得本发明的双层结构金银合金凸块,简化制备工艺,提高生产效率,降低生产成本。

    氰系电解银合金镀液
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116157555A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180050689.7

    申请日:2021-08-17

    申请人: EEJA株式会社

    发明人: 井关柾登

    IPC分类号: C25D3/64

    摘要: 根据本发明,提供氰系电解银合金镀液,其特征在于,含有:以银换算计为10~100g/L的氰化银络合物、5~300g/L的导电盐、以锗换算计为0.1~10g/L的锗化合物、和1~100g/L的配位性高分子添加剂。

    一种镀银工艺及镀银件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113416989A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110713560.1

    申请日:2021-06-25

    发明人: 杨照群

    摘要: 本发明公开了一种镀银工艺,将预处理后的工件置于含有银盐、络合剂、稀土盐等溶质的电镀液中进行电镀,形成银‑稀土合金层,并在银‑稀土合金层表面镀银。由于稀土元素的加入提高了镀层间的亲和性,使最上层的镀银层表面能降低,有效的防止了镀银层在高温下由于团聚作用所导致的变色问题,还能防止基材或内部镀层与镀银层发生合金化。本发明还公开了利用该镀银工艺制备的镀银件。本发明可应用于5G腔体的表面处理,保证了5G腔体表面镀银层的导电性、可焊性。

    一种Au-Ag合金表面电镀液及其应用

    公开(公告)号:CN107723760A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711213018.X

    申请日:2017-11-28

    IPC分类号: C25D3/62 C25D3/64

    CPC分类号: C25D3/62 C25D3/64

    摘要: 本发明公开了一种Au-Ag合金表面电镀液,包括如下组分:五羟黄酮0.3~0.5mol/L、乙氧基化双酚0.03~0.05mol/L、乙基麦芽酚0.01~0.05mol/L、3,6-二硫杂-1,8-辛二醇0.01~0.07mol/L、间苯二酚0.02~0.05mol/L、环戊二酮0.02~0.06mol/L、硫酸镍0.4~0.5mol/L、乳酸0.02~0.09mol/L、甲苯磺酸0.01~0.03mol/L,pH8.5~9.0,溶剂为水。该电镀液具有反应平缓,结晶细致,生成的镀层与基体结合力较好,且镀层延展性好,对基体的封闭性好,能显著提高Au-Ag合金表面硬度。

    一种无氰镀银锡合金的电镀液及其电镀方法

    公开(公告)号:CN106757213A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611004445.2

    申请日:2016-11-15

    发明人: 崔皓博 黄兴桥

    IPC分类号: C25D3/64 C25D5/18

    CPC分类号: C25D3/64 C25D5/18

    摘要: 本发明提供的无氰电镀银锡合金的电镀液及电镀方法,以甲基磺酸银、甲基磺酸锡作为镀银锡合金主盐,卡宾磺酸作为络合剂,以及其他添加剂组分复配增效,无氰电镀银锡合金溶液中不含氰化物,对环境和人体无毒害,配方合理,溶液稳定性好;在电镀时使用脉冲电镀,有效地解决了镀层应力和脆性大、结合力差等问题,获得了与基体结合性好、镀层应力小、致密性和光亮性好的镀层,获得的镀银锡合金层适合光电和微电子领域中反光层,高导电层和钎焊镀层的应用,形成的镀层可以提高微电子封装的导电率和可靠性,大幅度降低线路电阻所带来的信号失真。