发明公开
- 专利标题: 一种抗辐射耐极端环境的中子探测器及制备方法
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申请号: CN202410422946.0申请日: 2024-04-09
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公开(公告)号: CN118352426A公开(公告)日: 2024-07-16
- 发明人: 彭彦军 , 周泽民 , 覃剑 , 刘鹏 , 王佳琳 , 周雄 , 陈健禧 , 潘宁波 , 何启科 , 黄乾修 , 王璐
- 申请人: 广西电网有限责任公司桂林供电局
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市象山区上海路15号
- 专利权人: 广西电网有限责任公司桂林供电局
- 当前专利权人: 广西电网有限责任公司桂林供电局
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市象山区上海路15号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 郑勤振
- 主分类号: H01L31/118
- IPC分类号: H01L31/118 ; H01L31/032 ; H01L31/18
摘要:
本申请涉及半导体领域,具体公开了一种抗辐射耐极端环境的中子探测器及制备方法,探测器采用异质外延金属氧化物半导体结构,包括自下而上依次设置的背板接触层、碳化硅衬底层、碳化硅缓冲层、碳化硅外延层、氧化镓外延层以及栅极接触层;其中,碳化硅衬底层为n型碳化硅,碳化硅缓冲层为n型无掺杂碳化硅,碳化硅外延层为n型氮元素掺杂碳化硅,背板接触层和栅极接触层均为镍金属。本申请提出一种新型异质外延金属氧化物半导体结构作为中子探测器,相比于常见的中子探测器,本申请不仅表现出优异的辐射响应,而且具有良好的抗辐射、耐极端环境的优点。