本发明一种测量有机半导体态密度分布的方法，将待测有机半导体作为半导体层制备底栅顶接触的场效应晶体管结构；测试所述待测有机半导体的价带态密度分布时，顶接触的源电极、漏电极采用P掺杂有机半导体薄膜；测试所述待测有机半导体的导带态密度分布时，顶接触的源电极、漏电极采用N掺杂有机半导体薄膜；采用开尔文扫描探针显微镜KPFM测量所述场效应晶体管结构的沟道表面电势Vskpm在施加栅压VG条件下随栅压VG的变化，得到Vskpm‑VG关系，其中源电极，漏电极均接地；利用上述测量得到的Vskpm‑VG关系，可以通过相应的物理关系式得到有机半导体态密度分布为N(E)：该方法提高态密度分布测量的简单易操作性，且数据易分析。