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公开(公告)号：CN117939988A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410069860.4
申请日：2024-01-17
摘要： 本发明提供一种有机盐的用途，将具有式(一)所示的结构的有机盐，用作有机半导体的n型掺杂剂，所述式(一)为：#imgabs0#其中，R1‑R12各自独立为H、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、环烷基、烷氧基、烯基、酮烯基、炔基、芳基、卤代烷基、卤代酮烷基、卤代烯基；R13‑R16可为F，Cl，Br或I。本发明所提供的有机盐用作n型掺杂剂可以通过溶液处理，直接将掺杂剂加入到有机半导体中，或者通过正交溶液旋涂进行掺杂，并且通过不同的共混比例，从而提升半导体的电导率。而且掺杂半导体的薄膜在高温持续加热24h后，电导率几乎不变，具有良好的热稳定性，且掺杂工艺简单、便于控制，从而更加在其他有机半导体器件中得到广泛的应用和推广。
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公开(公告)号：CN118362850A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410356631.0
申请日：2024-03-27
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明一种测量有机半导体态密度分布的方法，将待测有机半导体作为半导体层制备底栅顶接触的场效应晶体管结构；测试所述待测有机半导体的价带态密度分布时，顶接触的源电极、漏电极采用P掺杂有机半导体薄膜；测试所述待测有机半导体的导带态密度分布时，顶接触的源电极、漏电极采用N掺杂有机半导体薄膜；采用开尔文扫描探针显微镜KPFM测量所述场效应晶体管结构的沟道表面电势Vskpm在施加栅压VG条件下随栅压VG的变化，得到Vskpm‑VG关系，其中源电极，漏电极均接地；利用上述测量得到的Vskpm‑VG关系，可以通过相应的物理关系式得到有机半导体态密度分布为N(E)：该方法提高态密度分布测量的简单易操作性，且数据易分析。
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公开(公告)号：CN116322070A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310370072.4
申请日：2023-03-31
申请人： 湖南大学深圳研究院
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法，本发明的钙钛矿垂直场效应晶体管其特征在于，包括栅电极、衬底、介电层、源电极、半导体层、漏电极，所述栅电极与所述源电极位于半导体层同侧，所述源电极为有多孔结构的连续MXene薄膜，所述半导体层为钙钛矿层；本发明使用MXene这种极薄的导电片状材料作为电极，保证了钙钛矿的成膜质量，制备出来的钙钛矿垂直晶体管能达到6mAcm‑2的高电流密度，足以支持驱动LED；本发明的钙钛矿垂直场效应晶体管制备方法简单，无需高精准高成本的光刻技术，源电极和半导体层都通过旋涂相应溶液后退火形成，适用于大规模的商业化应用，在印刷电子和柔性电子领域具有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116113242A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310053783.9
申请日：2023-02-03
申请人： 湖南大学深圳研究院
摘要： 一种底栅钙钛矿场效应晶体管及其制备方法，通过制备离子胶溶液以及钙钛矿半导体层前驱液；在形成有栅电极衬底上旋涂离子胶溶液并退火形成离子胶介电层；在离子胶介电层上形成钙钛矿半导体层以及源电极、漏电极，形成底栅钙钛矿场效应晶体管。该底栅钙钛矿场效应晶体管包括栅电极、衬底、介电层、半导体层、源电极、漏电极，所述介电层为离子胶，所述半导体层为钙钛矿层。通过该方法获得的钙钛矿场效应晶体管的工作电压降低到5V以下，实现低成本、快速、高效的低工作电压的钙钛矿场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116075202A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211721870.9
申请日：2022-12-30
申请人： 湖南大学深圳研究院
摘要： 一种可拉伸电极的制备方法，(1)制备有机半导体和掺杂剂混合液：将有机半导体和掺杂剂分别溶于溶剂中，按照一定摩尔比例混合形成混合液；(2)制备图案化转移介质；(3)制备导电薄膜：将所述步骤(1)中的混合液旋涂到图案化转移介质上获得导电薄膜；(4)制备电极：将所述导电薄膜转移至器件的电极区域形成电极。该方法获得的电极，可以通过调整电极成分或掺杂比例实现对电导率、功函数和薄膜质量的有效调控，且低成本、可大面积制备，具有优异机械性能和光学性能。
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公开(公告)号：CN114709332A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210376487.8
申请日：2022-04-12
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种透明钙钛矿薄膜晶体管，其包括透明衬底、源电极、漏电极、栅电极、插入层、半导体层，铁电介电层；所述插入层为透明金属氧化物，置于源、漏电极与半导体层之间；铁电介电层位于栅电极与半导体层之间；所述半导体层为透明钙钛矿薄膜。通过在源、漏电极与透明钙钛矿薄膜间插入一层金属氧化物薄膜作为电子注入层以降低电子注入势垒，提升电子注入效率；同时采用铁电材料作为介电层以抑制透明钙钛矿薄膜的离子迁移引起的栅电压屏蔽效应；在此基础上制备的透明钙钛矿薄膜晶体管能在室温下工作，且稳定性佳。
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公开(公告)号：CN109166941B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810388951.9
申请日：2018-04-26
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/02
摘要： 本发明提供了一种能源转换器件，具有衬底，在衬底上形成电极3，在电极3上形成介电层，在介电层上分别形成电极1和电极2，在电极1和2以及介电层上形成半导体层，其中电极1与所述半导体层形成欧姆接触，电极2与所述半导体层形成肖特基接触，在衬底硅电极3与电极1之间施加交流信号，在电极1和电极2之间就会形成稳定的直流输出，该能源转换器件不仅制备工艺简单，而且可以收集具有任意幅值的电磁波信号用于转化成直流电，并且无衰减，能长期工作，工艺性能稳定。
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公开(公告)号：CN108418578B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810176140.2
申请日：2018-03-02
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明适用于分频器技术领域，提供了一种抗单粒子加固的分频器电路。该分频器包括：加固的D触发器和加固的与非门。相较于现有技术，本发明通过对时序逻辑电路和组合逻辑电路进行加固，提高了分频器电路的抗单粒子效应能力。D触发器包括时钟输入电路、DCVSL型主锁存器、DCVSL型从锁存器、Quatro型数据存储单元和Muller‑C型输出缓冲单元，其中DCVSL型主锁存器、DCVSL型从锁存器和Muller‑C型输出缓冲单元均采用双模冗余加固，从而提高时序逻辑电路的抗单粒子翻转效应。与非门采用差分串联电压开关逻辑结构进行加固，提高组合逻辑电路的抗单粒子瞬态效应。本发明具有高共模抑制比、抗单粒子效应等优点。
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公开(公告)号：CN112968127B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110199553.4
申请日：2021-02-22
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L51/00
摘要： 本发明公开了一种制备多孔有机半导体薄膜的方法，分别将有机半导体和有机铵盐溶于有机溶剂中，并按照一定的比例混合得混合液，将所述混合液旋涂于衬底上，随后退火，即可得到多孔有机半导体薄膜。由于有机溶剂挥发过程中有机铵盐会促进有机半导体结晶，有机半导体结晶时释放出的空间形成均匀的多孔。本发明制备工艺简单，所得多孔有机半导体薄膜孔径均匀，重复性良好，对设备要求较低，能够快速获得大面积的多孔有机薄膜。本发明所得的多孔有机薄膜可广泛用于新型光电器件和气相传感器等领域。
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