发明公开
- 专利标题: 一种适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路
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申请号: CN202410385979.2申请日: 2024-04-01
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公开(公告)号: CN118366969A公开(公告)日: 2024-07-19
- 发明人: 刘红侠 , 高田芝 , 刘昌 , 王树龙 , 陈树鹏
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 勾慧敏
- 主分类号: H01L23/544
- IPC分类号: H01L23/544 ; H01L27/12
摘要:
本发明提供适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路,涉及半导体技术领域。此电路包括:阈值电压测量电路、比较器电路和反压电荷泵电路,阈值电压测量电路分别与比较器电路和反压电荷泵电路连接,比较器电路与反压电荷泵电路连接。这样,通过阈值电压测量电路实时监测器件的阈值电压,通过比较器电路将阈值电压与参考电压比较以输出比较电压,在比较电压为高电平时,高电平比较电压控制反压电荷泵电路产生负背栅偏置电压,从而对器件的阈值电压进行调节,来改善总剂量效应对器件产生的影响。该电路可直接在器件所应用到的集成电路上对电路进行改善,不需要将集成电路推翻重做,使得对FDSOI器件总剂量效应的加固所需的时间短以及成本低。
IPC分类: