发明公开
- 专利标题: 一种铜铬锆银合金非真空制备方法
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申请号: CN202410583855.5申请日: 2024-05-11
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公开(公告)号: CN118389883A公开(公告)日: 2024-07-26
- 发明人: 汤皓元 , 包崇军 , 孙彦华 , 岳有成 , 胥福顺 , 王应武 , 李恒 , 谭国寅 , 陈越 , 冯绍棠 , 陈劲戈 , 张玮 , 闫森 , 李玉章 , 杨祖贵 , 崔健
- 申请人: 昆明冶金研究院有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区圆通北路86号
- 专利权人: 昆明冶金研究院有限公司
- 当前专利权人: 昆明冶金研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区圆通北路86号
- 代理机构: 云南律翔知识产权代理事务所
- 代理商 谢乔良
- 主分类号: C22C1/03
- IPC分类号: C22C1/03 ; C22C9/00 ; B22D11/14
摘要:
本发明公开一种铜铬锆银合金非真空制备方法。所述制备方法包括按比例称取高纯阴板铜、铜铬中间合金、铜锆中间合金和金属银并准备高纯石墨和氩气;将中频感应炉的石墨坩埚升温到1150~1300℃并加入高纯阴板铜及铜铬中间合金熔化成1210±15℃的合金熔体;铜锆中间合金和银用投料工具插入熔体液面下50~150mm并搅拌3~5min后取出工具;在上方持续通入高纯氩气,形成气氛保护;用取样勺深入铜铬锆银合金熔体取样检测;将铜铬锆银合金熔体出炉浇铸,浇铸温度为1200±10℃。铜铬锆银合金用前述制备方法制得。本发明具有在非真空条件下制备铜铬锆银合金,锆分布均匀且烧损小、高强高导的特点。