本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片的腐蚀装置及位错检测方法。本发明将所述重掺杂n型碳化硅晶片置于所述腐蚀剂中，并利用所述电源对所述重掺杂n型碳化硅晶片和所述电极施加电压，使得所述电极、所述腐蚀剂、所述重掺杂n型碳化硅晶片之间形成通路，从而在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面发生电化学腐蚀，将电化学腐蚀与所述腐蚀剂的化学腐蚀相结合的方式作用在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面，本发明既可以提高碳化硅晶片位错腐蚀效率，又能够通过腐蚀坑形貌和大小明确区分TSD、TED、BPD不同位错类型，从而反应晶片的真实位错密度。