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公开(公告)号：CN114754910B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210350969.6
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明涉及压力测量技术领域，公开了一种基于碳化硅拉曼信号的压力测量方法，包括以下步骤：提供碳化硅，将所述碳化硅放置在待测压力位置处；对位于所述待测压力位置处的所述碳化硅进行激光照射，形成拉曼信号；根据所述拉曼信号中的TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值。本发明基于TO模或者LO模的峰位处的拉曼位移计算所述待测压力位置处的压力值的压力测量方法，测量精度高，且更具有实践意义；且在变温情形下，碳化硅非常高的热导率能够降低误差，无须特殊的X射线防护，且无峰位重叠情况，压力计算更加准确。
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公开(公告)号：CN119061472A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411571341.4
申请日：2024-11-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及一种用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法及碳化硅外延生长装置，用于碳化硅外延生长的石墨件的清洗方法对安装在外延炉的炉腔内的石墨件进行清洗，所述炉腔具有进气口和尾气出口，所述清洗方法包括：通过所述进气口往所述外延炉的所述炉腔持续通入碱蒸气。本申请的清洗方法无需将石墨件从外延炉中拆下，可直接在原位对石墨件进行清洗，免去了拆卸及安装石墨件的步骤，非常方便，且显著提高了工艺稳定性，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114518070B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210156964.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及显微镜技术领域，公开了一种与扫描探针显微镜联用系统的快速定位方法、系统，包括：获取样品在高倍显微镜下拍摄得到的第一样品图像；对第一样品图像进行校准并计算第一样品图像的四个顶点坐标；获取样品在扫描探针显微镜下拍摄得到的第二样品图像；对第二样品图像进行校准并计算第二样品图像的四个顶点坐标，其中，样品在第一样品图像和第二样品图像中所呈现的摆放位置相同，第一样品图像的四个顶点坐标和所述第二样品图像的四个顶点坐标；对第一样品图像进行代码解析，计算目标区域的位置坐标，在第二样品图像中根据所述位置坐标找到对应的扫描区域。本发明可以在扫描探针显微镜下快速定位到需要扫描的目标区域。
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公开(公告)号：CN118338770B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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公开(公告)号：CN118338770A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410748864.5
申请日：2024-06-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064967B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410494355.4
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心 , 杭州乾晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN115161762B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210900279.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN114318517B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111638964.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种籽晶粘接结构及其提高籽晶粘接均匀性的方法，依次包括压块，籽晶，定位环，所述定位环上设有导热系数不同的第一导热层，第二导热层与第三导热层，导热系数沿籽晶中心径向到边缘呈减小趋势。本发明通过利用导热系数不同的导热层，分区域热压，使得胶水固化的时候气泡从中心开始向边缘能有序的排出，避免了中心区域气泡无法排除而聚集的现象。通过本发明的方法制备的籽晶，其胶水的均匀性得到了很大的改善。
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公开(公告)号：CN116555899A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534059.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括坩埚、感应加热器、至少一个感应加热体以及石墨桶；石墨桶设置在坩埚内部，感应加热器设置在坩埚外周侧，感应加热器用于对坩埚以及石墨桶内的原料进行加热，感应加热器包括感应线圈以及为感应线圈供电的电源；至少一个感应加热体设置在石墨桶内部，感应加热体用于辅助感应加热器对石墨桶内的原料进行加热，感应加热体为导体，感应加热体的加热源为感应加热器。石墨桶可以起到热传递以及热均衡的作用。本申请提供的单晶生长装置通过感应加热体对内部原料进行加热，使第一放料空间以及第二放料空间的温度保持近似相同，以获取更均匀的加热以及升华效果。
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公开(公告)号：CN114167138B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111528881.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
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