本申请涉及硅基电光调制器技术领域，具体涉及一种覆盖层辅助调制的硅基电光调制器，本发明应用覆盖层辅助调制，覆盖层置于硅基脊波导的顶部，覆盖层为电光晶体，第一电极置于n型掺杂区上，第二电极置于所述p型掺杂区上，当电场从第一电极指向第二电极时，电光晶体的折射率减小。本发明通过结合硅基脊波导的载流子浓度调制和电光晶体的折射率调制，实现了更大的调制深度。在施加反向偏压时，耗尽区的扩大降低了载流子浓度，从而增加了硅波导的折射率。同时，电光晶体的折射率在电场作用下降低，这样的组合导致硅基脊波导相对于周围环境的折射率变化更加显著，从而有效增强了光的限制和调制效果。