- 专利标题： 一种高导热高强度芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法
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申请号： CN202410873227.0申请日： 2024-07-01
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公开(公告)号： CN118419923A公开(公告)日： 2024-08-02
- 发明人: 陈枫 , 程好 , 傅强
- 申请人： 四川大学
- 申请人地址： 四川省成都市一环路南一段24号
- 专利权人： 四川大学
- 当前专利权人： 四川大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市一环路南一段24号
- 代理机构： 成都天炜知识产权代理事务所
- 代理商 刘文娟
- 主分类号： C01B32/205
- IPC分类号： C01B32/205 ; C08G73/08
摘要：
本发明具体涉及一种高导热高强度芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法，属于导热石墨材料领域。本发明提供一种高导热高强度芳杂环聚合物基石墨膜，所述石墨膜是先将改性聚芳噁二唑制得基膜，再通过碳化和石墨化处理制得；其中，所述改性聚芳噁二唑的结构式如下。本发明实现了POD基石墨膜在30μm厚度时的导热系数高达1880 W/(mK)，电导率提升至25237 S/cm，拉伸断裂伸长率达到8.5%，拉伸强度提升至15 MPa。#imgabs0#
公开/授权文献
- CN118419923B 一种高导热高强度芳杂环聚合物基石墨膜及其制备方法 公开/授权日：2024-09-17
