发明公开
- 专利标题: 改善焊点导电性的发光二极管及其制备方法
-
申请号: CN202410282380.6申请日: 2024-03-13
-
公开(公告)号: CN118431355A公开(公告)日: 2024-08-02
- 发明人: 兰叶 , 王江波 , 朱广敏 , 吴志浩 , 张威
- 申请人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 专利权人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 徐立
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L33/62
摘要:
本公开提供了一种改善焊点导电性的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括:提供一外延层;在所述外延层上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层,所述第一光刻胶层位于所述外延层和所述第二光刻胶层之间,且所述第一光刻胶层所需的曝光剂量低于所述第二光刻胶层所需的曝光剂量,所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为负性光刻胶层;对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光和显影,在所述第二光刻胶层的表面形成露出所述外延层的通孔;通过所述通孔在所述外延层的表面制备焊点。本公开实施例能提升微型发光二极管的焊点的导电效果。
IPC分类: