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公开(公告)号：CN118335877B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410735946.6
申请日：2024-06-07
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极、反射层、第一电极焊盘和第二电极焊盘；所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影的边缘与所述反射层在所述第一半导体层上的投影的边缘重合。
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公开(公告)号：CN118431356A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410288028.3
申请日：2024-03-14
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管的转移方法及发光二极管。该方法包括：通过键合层将外延结构键合到衬底，所述键合层为吸光层；对所述键合层进行图形化处理，使所述键合层的面积小于所述外延结构的面积；制作反射层，所述反射层覆盖所述外延结构；制作贯穿所述反射层与所述外延结构连接的电极结构；制作钝化层，所述钝化层为透光层，所述钝化层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述外延结构的侧面、所述反射层的侧面和所述反射层的表面；所述第二部分位于所述衬底表面，所述第二部分环绕所述键合层布置；将所述电极结构与基板键合；依次去除所述衬底和所述键合层，所述衬底采用激光剥离技术去除。
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公开(公告)号：CN118867080A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410579968.8
申请日：2024-05-11
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：形成依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对外延结构进行图形化处理，形成台阶结构；制作保护层，保护层覆盖外延结构；对保护层进行图形化处理，以形成第一通孔和第二通孔；其中，对保护层进行图形化处理的方式如下：在保护层上形成光刻胶掩膜层；光刻胶掩膜层开设有与第一通孔和第二通孔对应的开孔；在光刻胶掩膜层的覆盖下，对保护层进行第一次腐蚀；重复执行多次：烘烤光刻胶掩膜层、利用等离子体轰击光刻胶掩膜层、对保护层进行腐蚀，直到保护层形成第一通孔和第二通孔；除去光刻胶掩膜层。
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公开(公告)号：CN118335877A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410735946.6
申请日：2024-06-07
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极、反射层、第一电极焊盘和第二电极焊盘；所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影的边缘与所述反射层在所述第一半导体层上的投影的边缘重合。
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公开(公告)号：CN118335855A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410449385.3
申请日：2024-04-15
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/44 , H01L21/311
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管的制作方法包括：在衬底上形成多个间隔分布的外延结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，多个外延结构之间具有隔离槽；制作钝化层，钝化层覆盖多个外延结构和隔离槽，钝化层的厚度为0.3um～6um；对钝化层进行图形化处理，以去除隔离槽底部的钝化层；对钝化层进行图形化处理，以形成多个第一通孔，第一通孔贯穿钝化层与第一半导体层连通；对钝化层进行图形化处理，以形成多个第二通孔，第二通孔贯穿钝化层与第二半导体层连通；第一通孔和第二通孔的尺寸为0.5um～3.5um；第一通孔和第二通孔的侧面的倾斜角度为50°～75°。
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公开(公告)号：CN118969915A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410813194.0
申请日：2024-06-24
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：在外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；将所述外延片放入粗化溶液中；控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成。
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公开(公告)号：CN118563259A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410359959.8
申请日：2024-03-27
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善电极蒸镀质量的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：提供一待蒸镀制品；控制电子枪按照振荡功率模式工作，以在所述待蒸镀制品的表面蒸镀电极，所述振荡功率模式包括交替执行的多个第一阶段和多个第二阶段，所述电子枪处于所述第一阶段时，控制所述电子枪的功率从第一功率上升至第二功率，所述电子枪处于所述第二阶段时，控制所述电子枪的功率从所述第二功率降低至所述第一功率。本公开实施例能保证在蒸镀过程中AuGe层的各元素组分的比例保持一致，提升电极蒸镀质量。
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公开(公告)号：CN118825151A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410807789.5
申请日：2024-06-21
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：获取初始外延片在目标温度下的目标翘曲度，初始外延片包括衬底和初始外延层；根据目标翘曲度，确定目标托盘，目标托盘包括用于放置初始外延片的凹槽，凹槽的底面为圆弧形凸起面，且圆弧形凸起面的翘曲度等于目标翘曲度；将初始外延片放置在目标托盘的凹槽内，并在目标温度下在初始外延层上形成剩余外延层，以在衬底上形成外延层，衬底和圆弧形凸起面接触。本公开实施例能提高LED的发光波长的均匀性。
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公开(公告)号：CN118431355A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410282380.6
申请日：2024-03-13
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善焊点导电性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管的制备方法包括：提供一外延层；在所述外延层上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层位于所述外延层和所述第二光刻胶层之间，且所述第一光刻胶层所需的曝光剂量低于所述第二光刻胶层所需的曝光剂量，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为负性光刻胶层；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光和显影，在所述第二光刻胶层的表面形成露出所述外延层的通孔；通过所述通孔在所述外延层的表面制备焊点。本公开实施例能提升微型发光二极管的焊点的导电效果。
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