发明公开
CN118431371A 发光二极管及其制作方法
审中-实审
- 专利标题： 发光二极管及其制作方法
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申请号： CN202410282317.2申请日： 2024-03-13
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公开(公告)号： CN118431371A公开(公告)日： 2024-08-02
- 发明人: 黄庆 , 王洪占 , 张美 , 杭伟
- 申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 专利权人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 徐立
- 主分类号： H01L33/38
- IPC分类号： H01L33/38 ; H01L33/00
摘要：
本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述外延结构的第一表面，所述第二电极位于所述外延结构的第二表面；所述第一电极包括多个间隔分布的子电极，多个所述子电极在第一方向上排布为多排，多个所述子电极在第二方向上排布为多排，所述第一方向和所述第二方向不平行且不垂直。
IPC分类:
