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公开(公告)号：CN118825163A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410808043.6
申请日：2024-06-21
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的透明衬底、填平层、键合层和外延层；透明衬底的第一表面具有多个第一图形结构，透明衬底的第二表面具有多个第二图形结构，第一表面和第二表面为透明衬底的相反的两表面；填平层覆盖第一表面。本公开实施例能提高倒装LED的发光角度和出光效率。
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公开(公告)号：CN118431371A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410282317.2
申请日：2024-03-13
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述外延结构的第一表面，所述第二电极位于所述外延结构的第二表面；所述第一电极包括多个间隔分布的子电极，多个所述子电极在第一方向上排布为多排，多个所述子电极在第二方向上排布为多排，所述第一方向和所述第二方向不平行且不垂直。
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公开(公告)号：CN118969935A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410813177.7
申请日：2024-06-24
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括外延层、多个导电凸起、介质层、第一透明导电层和金属反射层，多个导电凸起位于外延层的表面，导电凸起包括沿远离外延层的方向依次层叠的过渡层、欧姆接触层和第二透明导电层；介质层覆盖外延层的表面和多个导电凸起的侧壁；第一透明导电层位于介质层的远离外延层的一侧，且与导电凸起连接，第一透明导电层的远离外延层的表面为平面；金属反射层位于第一透明导电层的远离外延层的表面。本公开实施例能提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118825162A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410807942.4
申请日：2024-06-21
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管包括依次层叠的蓝宝石衬底、填平层、键合层和外延层；蓝宝石衬底包括本体和多个凸起，多个凸起位于本体的表面；填平层覆盖多个凸起，并且填平层的远离蓝宝石衬底的表面为平面。本公开实施例能提高倒装LED的出光效率和发光角度。
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公开(公告)号：CN118588833A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410709769.4
申请日：2024-06-03
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底、键合层、反射镜结构、介质层、欧姆接触结构和外延结构；所述欧姆接触结构位于所述外延结构的一面，所述欧姆接触结构包括间隔分布的多个欧姆接触柱，所述介质层包覆所述多个欧姆接触柱，且所述介质层在所述多个欧姆接触柱之间形成多个第一凹槽，所述反射镜结构覆盖所述介质层，且所述反射镜结构在所述多个欧姆接触柱之间形成多个第二凹槽，所述介质层具有多个通孔，所述多个欧姆接触柱通过所述多个通孔分别与所述反射镜结构连接，所述反射镜结构通过所述键合层与所述衬底键合。
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公开(公告)号：CN118867083A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410779383.0
申请日：2024-06-17
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：背金、衬底、键合层、镜面层、透明导电层、介质层、ITO导电层、外延结构和电极焊盘；ITO导电层设置成多个导电部，多个导电部围绕电极焊盘设计，且通孔在衬底上的投影位于多个导电部在衬底上的投影内，而非将ITO导电层设置在通孔内，上述方式设计的ITO导电层不会造成电流易集中在通孔附近的问题，提高了电流扩展效果，有利于发光二极管的电性能。同时能够改善发光二极管的静电释放效果。
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公开(公告)号：CN118693194A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410712443.7
申请日：2024-06-04
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层、插入层和P型过渡层，插入层包括层叠的多个周期结构，每个周期结构包括沿远离第二半导体层的方向层叠的N型掺杂子层和P型掺杂子层，并且每个周期结构中N型掺杂子层的掺杂浓度大于P型掺杂子层的掺杂浓度。本公开实施例能改善LED在高温条件下的亮度衰减问题，提高LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN118431375A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410282415.6
申请日：2024-03-13
申请人： 京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善出光角度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底、外延层、第一反射层、第二反射层和电极，所述第一反射层、所述外延层和所述第二反射层依次层叠，所述第二反射层具有露出所述外延层的通孔，所述电极位于所述第二反射层的远离所述衬底的表面，且通过所述通孔与所述外延层连接；所述第一反射层的反射率低于所述第二反射层的反射率。本公开实施例能改善发光二极管的出光角度，提升显示屏的显示效果。
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