本发明实施方式提供一种中子管精密三同轴陶瓷金属真空密接电极结构，属于中子管技术领域。该电极结构包括：连接件、多组金属管、陶瓷管，其中连接件嵌套于中子管真空腔体的外围；每组所述金属管的数量为至少两个，嵌套于所述连接件的外围；陶瓷管嵌套于所述连接件与所述金属管之间，所述陶瓷管的数量为至少为一个，设置于相邻两个所述金属管之间，用于给中子管内接通高压电源。解决了中子管精密三同轴陶瓷金属真空密接电极结构尺寸大、绝缘性差、造价成本高的问题。