发明公开
- 专利标题: 一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备方法
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申请号: CN202410542987.3申请日: 2024-05-01
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公开(公告)号: CN118452933A公开(公告)日: 2024-08-09
- 发明人: 吉博文 , 尤小丽 , 张梓墨 , 薛凯 , 王炫棋 , 郭珺 , 常洪龙
- 申请人: 西北工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
- 专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
- 代理机构: 西安匠星互智知识产权代理有限公司
- 代理商 陈星
- 主分类号: A61B5/291
- IPC分类号: A61B5/291 ; A61B5/263 ; A61B5/268 ; A61N1/04
摘要:
本发明提供一种可储备导电聚合物的跨界面深孔阵列神经电极及制备工艺,神经电极包括基底层、导电层、顶部封装层以及导电聚合物PEDOT:PSS涂层;电极点暴露表面内分布有跨界面深孔阵列,贯穿导电层并在基底层内形成盲孔;PEDOT:PSS填充深孔阵列并覆盖电极点暴露表面。深孔阵列像蓄水池一样,储备导电聚合物PEDOT:PSS,具有优异的电荷存储能力和电荷注入能力,为长期进行信号采集和电刺激的神经电极提供了创新方案。本发明突破了神经电极常用表面改性方法,利用贯穿导电层的深孔阵列,在深度方向积累改性材料,能够承受电极点顶面、深孔内涂层材料局部或完全脱落的影响,保持良好的电化学性能,同时结构新颖,工艺简单,有效解决了导电聚合物涂层材料容易脱落失效这一关键难题。