本发明提供了一种合成碳化硅粉料的方法，包括以下步骤：S1：选取硅原料进行破碎，得到硅颗粒；S2：将所述步骤S1得到的硅颗粒腐蚀处理后得到多孔硅颗粒；S3：将所述步骤S2得到多孔硅颗粒与碳粉以(1.2‑1)：1的摩尔比混合后放入石墨坩埚中；S4：将所述步骤S3处理后的石墨坩埚进行二次升温加热处理，第一次加热至1000～1300℃进行反应，随后第二次加热至1800～2100℃进行反应；S5：待所述石墨坩埚降温后，得到碳化硅合成料块，完成处理。通过本发明的方法，解决了现有技术中存在的粒径小、产率低、原料利用率低且不稳定的问题。