本发明属于半导体技术领域，公开了一种千安级单管型SiC功率半导体模块的封装结构，主要包含SiC芯片、陶瓷基板、底板、功率与信号端子、集成栅极/开尔文源极电阻、外壳等组件。本发明所提封装结构改善了多芯片并联电热性能、减小了功率模块尺寸、突破了并联SiC芯片数量限制，极大地提升了现有SiC功率半导体模块的电流容量与功率密度，尤其适用于轨道交通牵引、柔性直流输电等大功率场合用1.7kV～6.5kV单管型功率半导体模块。此外，本发明所提封装结构兼容传统的焊接、键合、灌封等工艺，制备方法成熟，适合在实际工程中大规模推广应用。