一种大电流瞬态抑制组合器件及其成型方法，涉及半导体器件领域，器件包括：顶面设有N‑外延层的P++半导体衬底；多个第一P++隔离阱；D1二极管；多个互相串联的D3二极管；D2二极管和/或D4二极管；方法包括步骤：准备P++半导体衬底；在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后进行下一步，或在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后，在N‑外延层注入N型离子形成N++埋层，再在两个第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N++阱，然后再进行下一步；对N‑外延层注入P型离子形成第一P++隔离阱；在第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N+区；在部分第一P++隔离阱之间注入P型离子形成多个P+区；用导线连接各部件。实现正向导通开启电压的叠加，更易控制钳位电压。