本发明公开了一种提高发光效率的LED外延层生长方法，属于LED制备领域，具体LED外延层生长方法如下：在LP层或/和HP层之后插入停顿退火层，即LPR停顿退火层/和HPR停顿退火层；且LPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于LP层，N2浓度高于LP层；HPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于HP层，N2浓度高于HP层。本发明通过在LP层或/和HP层之后插入低温、高N2、低H2、低NH3环境停顿退火层，活化提升Mg效率，提升空穴浓度，提升晶格质量，从而提升LED发光效率。