发明授权
CN1185076C 半导体材料的激光切割
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体材料的激光切割
- 专利标题（英）： Laser cutting of semiconductor materials
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申请号： CN01802185.9申请日： 2001-05-14
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公开(公告)号： CN1185076C公开(公告)日： 2005-01-19
- 发明人: B·P·皮茨克 , J·P·卡莱斯
- 申请人： RWE肖特太阳公司
- 申请人地址： 美国麻萨诸塞州
- 专利权人： RWE肖特太阳公司
- 当前专利权人： RWE肖特太阳公司
- 当前专利权人地址： 美国麻萨诸塞州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 温大鹏; 黄力行
- 优先权： 09/626708 2000.07.26 US
- 国际申请： PCT/US2001/015566 2001.05.14
- 国际公布： WO2002/007927 EN 2002.01.31
- 进入国家日期： 2002-03-26
- 主分类号： B23K26/12
- IPC分类号： B23K26/12 ; B23K26/38
摘要：
一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法，包括在真空中或在合成气体或稀有气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。
公开/授权文献
- CN1386081A 半导体材料的激光切割 公开/授权日：2002-12-18
