公开(公告)号：CN1222389C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01804775.0

申请日：2001-05-22

申请人： RWE肖特太阳公司

发明人： B·P·皮夫茨克

IPC分类号： B23K26/14 ,  B23K26/38

CPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/04 ,  B23K26/0884 ,  B23K26/142 ,  B23K26/1436 ,  B23K26/1476

摘要： 一种用于激光切割薄且脆的材料的改进方法和装置，其采用辅助气体排除熔化的材料和激光产生的碎屑，其特征在于高速辅助气体施加在被切割的材料上的净力基本上为零。本发明还提供一种改进的激光辅助气体喷嘴的形式，其形状确定成可达到一超音速气体流速，其有利地用于实现喷射的气体和其它材料的迅速排除。

公开(公告)号：CN1185076C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01802185.9

申请日：2001-05-14

申请人： RWE肖特太阳公司

发明人： B·P·皮茨克 ,  J·P·卡莱斯

IPC分类号： B23K26/12 ,  B23K26/38

CPC分类号： B23K26/127 ,  B23K26/12 ,  B23K26/1224 ,  B23K26/123 ,  B23K26/125 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/3065

摘要： 一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法，包括在真空中或在合成气体或稀有气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。

公开(公告)号：CN1494608A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN01823121.7

申请日：2001-12-20

申请人： RWE肖特太阳公司

发明人： B·H·麦金托斯 ,  M·厄勒特

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B15/34

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1036 ,  Y10T117/104 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1068

摘要： 控制将硅粒引入边缘限定硅膜生长工艺(EFG)坩埚/模具单元(20A)内以在晶体生长过程中补充熔体的改进的机械装置。由供料装置(124)通过坩埚/模具单元(20A)的中心套筒(114)向上注入硅粒，由机械装置阻截注入的硅粒并将其导引，使之落入坩埚的选定区域内的熔体中而其注入速度能减少溅射，从而能减小由于在中心套筒(114)与相邻部件上形成硅固体团而中止生长过程的可能性。本发明还包括应用法拉第环(300)来改变流过加热坩埚模具单元(20A)与机械装置的初级和次级感应加热线圈的电流之比。