本发明提供了氧化镉基靶材及其生产方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。氧化镉基靶材包括：镉元素和掺杂元素；掺杂元素包括：铟元素、铝元素、钇元素、锌元素、铈元素、铪元素、锆元素、铌元素、镍元素、锡元素、镓元素、硅元素中的至少一种；靶材中的掺杂元素的摩尔量，占靶材中镉元素和掺杂元素的总摩尔量的百分比为0.1％至40％。本发明中，一种靶材就含有镉元素和掺杂元素，能够提升制备得到的透明导电薄膜的导电性能等。在后续制备氧化镉基透明导电薄膜的过程中，降低了制备氧化镉基透明导电薄膜的工艺条件要求，降低了工艺难度，提升了良率或成膜质量，提升了透明导电薄膜的性能，可以降低成本。