石英内屏及其制备方法、热屏、热场及单晶炉

    公开(公告)号:CN118581563A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410534105.9

    申请日:2024-04-29

    摘要: 本申请公开了一种石英内屏及其制备方法、热屏、热场及单晶炉,石英内屏设有中空型腔,中空型腔具有沿第一方向相对的第一开口和第二开口,所述第一开口的内径大于所述第二开口的内径,且所述石英内屏在所述第一开口处的壁厚与在所述第二开口处的壁厚的差值为:‑1mm~1mm。通过设置石英内屏的中空型腔的第一开口大于第二开口,以使石英内屏呈上宽下窄的结构,从而能够在石英内屏的中空型腔内形成纵向梯度分布的热场。同时,通过控制石英内屏在第一开口处的壁厚与在第二开口处的壁厚的差值在一定范围内,以保证石英内屏的壁厚分布均匀,从而确保石英内屏不同部分的隔热保温作用。

    一种进气量控制系统、方法和气相沉积炉及其操作工艺

    公开(公告)号:CN116083886B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202111306341.8

    申请日:2021-11-05

    摘要: 本发明公开一种进气量控制系统、方法和气相沉积炉及其操作工艺,涉及气相沉积炉技术领域,以解决碳/碳复合材料的生产效率低的问题。所述进气量控制系统包括尾气检测装置、进气量调节装置和进气装置;尾气检测装置用于检测尾气中碳源气的含量;进气量调节装置用于调整下一周期的碳源气进气量;进气装置用于在下一周期控制碳源气进入气相沉积炉。所述进气量控制方法包括上述技术方案所提的进气量控制系统,所述气相沉积炉包括上述技术方案所提的进气量控制系统,所述气相沉积炉的操作工艺使用上述技术方案所提的气相沉积炉。本发明提供的进气量控制系统用于控制气相沉积炉内碳源气的进气量。

    一种焊带弯折装置和焊带弯折装置的使用方法

    公开(公告)号:CN118522823A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410100770.7

    申请日:2024-01-24

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/05

    摘要: 本发明公开了一种焊带弯折装置和焊带弯折装置的使用方法,涉及光伏技术领域,以解决由于折弯模具一次加工成型,加工完成后其尺寸固定,导致焊带的弯折量固定,不能满足焊接要求的问题。所述焊带弯折装置包括:基板,固定机构和顶升机构。固定机构设置于基板上,用于锁定焊带的至少一部分。顶升机构分布于固定机构两侧,活动设置在基板上。顶升机构相对于基板上表面具有第一驱动位置和第二驱动位置,第一驱动位置和第二驱动位置根据焊带的热收缩系数设置。由于第一驱动位置和第二驱动位置的差值可调,因此焊带的弯折量可调,进而可以满足不同焊带的弯折需求。

    一种太阳能电池及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118522812A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310702056.0

    申请日:2023-06-13

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0224

    摘要: 本发明公开一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,用于解决太阳能电池的背面膜层的制备工艺复杂,成本较高的问题。太阳能电池的制备方法包括:提供一中间基板和多条丝线状掩膜,所述中间基板具有相对的第一面和第二面;将所述多条丝线状掩膜按照预设图案粘贴于所述第一面上;在所述第一面上形成目标膜层,所述目标膜层覆盖于所述多条丝线状掩膜的表面和所述第一面裸露的表面;去除所述多条丝线状掩膜,以使所述目标膜层上形成与所述多条丝线状掩膜形状一致的开槽区域,所述第一面在所述开槽区域裸露。本申请中不需要在目标膜层上旋涂光刻胶、显影、刻蚀、清洗,因此,简化了工艺,且采用的丝线状掩膜相较于光刻胶成本较低。

    一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件

    公开(公告)号:CN118522807A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410392983.1

    申请日:2024-04-01

    IPC分类号: H01L31/0747 H01L31/20

    摘要: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括:硅衬底;第一导电层,位于第一区域上;第一导电层包括:非晶硅部分和晶化硅部分,晶化硅部分包括微晶硅部分;第一导电层中非晶硅部分的体积占比,大于或等于1%,小于或等于22%,且晶化硅部分中微晶硅部分的体积占比为40%至70%。第一导电层中的非晶硅部分,在阴天等低光照天气吸光效果更好,硅衬底背光侧通常处于低光照或弱光照的光照条件下,第一导电层中的非晶硅部分在硅衬底背光侧的光照较弱场景下吸光效果更好,通过与第一导电层中微晶硅的配合,该背接触太阳能电池短路电流、钝化性能和光电转换效率较高,提升了其电池性能。

    一种太阳能电池及其制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118522804A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202311811881.0

    申请日:2023-12-26

    IPC分类号: H01L31/072 H01L31/18

    摘要: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法,其中,所提供的太阳能电池包括依次层叠设置的第二电极、第二载流子传输层、P型氧化亚铜活性层、第一载流子传输层及第一电极;还包括第一碱金属化合物层,第一碱金属化合物层设置于P型氧化亚铜活性层与第一载流子传输层之间,且第一碱金属化合物层与P型氧化亚铜活性层接触,能够保持良好的界面质量,有效提升器件的短路电流密度和开路电压,进而提升光电转化效率。

    一种太阳能电池片、光伏组件及光伏组件制备方法

    公开(公告)号:CN118522790A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410676883.1

    申请日:2024-05-28

    摘要: 本发明提供了一种太阳能电池片、光伏组件及光伏组件制备方法,所述太阳能电池片包括:电池本体,电池本体包括第一侧边和第二侧边;电池本体设置有电极结构,电极结构包括多条副栅,副栅至少部分平行于第一侧边,且沿第二侧边的延伸方向,极性相反的两种副栅交替设置;沿第一侧边的延伸方向,副栅由多个缺口分隔为多段;沿第二侧边的延伸方向,至少部分缺口处设置有将副栅连接导通的连接部;且沿第一侧边的延伸方向,在同一条副栅上,连接部与剩余缺口交替设置;沿第二侧边的延伸方向,至少一条副栅上的连接部与另一条副栅上的缺口交替设置。本发明的太阳能电池片,使得互联条和太阳能电池片连接可靠,降低了电池片功率损耗。

    一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN118522788A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410346078.2

    申请日:2024-03-25

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池和太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池技术领域,以解决太阳能电池的表面具有较高的金属复合,导致太阳能电池的电池效率降低的问题。所述太阳能电池包括:半导体基底、电极和半导体层。半导体基底具有相对的第一面和第二面,电极至少位于半导体基底的一面。半导体层至少形成在半导体基底的一面,半导体层位于电极下方。其中,半导体层包括多个沿第一方向交替分布的第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层包括掺杂多晶硅层,第二半导体层包括非晶硅层,电极与第一半导体层接触,第一方向和,与半导体层对应的电极的长度方向一致。

    晶线状态确定方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118521524A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310476854.6

    申请日:2023-04-27

    发明人: 郭力

    IPC分类号: G06T7/00 G06T7/11

    摘要: 本发明实施例提供了一种晶线状态确定方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶过程中,获取放肩阶段的单晶棒图像,识别所述单晶棒图像中的晶棒区域和晶线区域,根据所述晶棒区域的边界和所述晶线区域的边界,确定单晶棒的晶线的状态信息,使得利用机器视觉技术识别出晶棒区域和晶线区域,据此自动确定晶线的状态信息,解决了工作人员无法实时观察晶线状态的问题,提高了晶线状态确定的实时性和准确性。